信息存儲應用技術
  • 行進存儲器和計算機系統的制作方法
    本發明涉及行進存儲器(mm,marchingmemory)的新配置和使用mm的新配置的新計算機系統,其以較低的能量消耗和較高的速度運行。在專利文獻(ptl)1-3中,t.nakamura和m.j.flynn已經提出了一種由包括存儲單元陣列的行進主存儲器(mmm)實現的mm)計算機系統。在專...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    本發明的實施方式涉及一種半導體存儲裝置。作為半導體存儲裝置,已知有一種nand(not-and,與非)型閃存。文獻專利文獻專利文獻1:美國專利6,249,461b1號說明書專利文獻2:美國專利9,093,132b2號說明書專利文獻3:日本專利特開2003-233992號公報發明內容...
  • 三維相變存儲器件的制作方法
    本公開的實施例涉及三維(3d)存儲器件及其制作方法。通過改進工藝技術、電路設計、編程算法和制作工藝,使平面存儲單元縮小到了更小的尺寸。但是,隨著存儲單元的特征尺寸接近下限,平面工藝和制作技術變得更加困難,而且成本更加高昂。因此,平面存儲單元的存儲密度接近上限。3d存儲架構能夠解決平面存儲單...
  • 用于執行具有多位輸入矢量的矩陣計算的多級單元(MLC)非易失性(NV)存儲器(NVM)矩陣電路的制作方法
    優先權申請本申請要求于2017年11月20日提交的題為“multiple(multi-)levelcell(mlc)non-volatile(nv)memory(nvm)matrixcircuitsforperformingmatrixcomputationswithmulti-bitinputv...
  • 存儲器板分割以減少操作功率的制作方法
    交叉參考本專利申請主張2018年7月20日由kim等人遞交的標題為“存儲器板分割以減少操作功率(memoryplatesegmentationtoreduceoperatingpower)”的第15/655,675號美國專利申請的優先權,所述專利申請轉讓給本受讓人,并且以引用的方式明確并入本文中。...
  • 多電平信號的電平之間的均勻性的制作方法
    交叉參考本專利申請案主張由霍利斯(hollis)在2018年2月9日申請的標題為“多電平信號的電平之間的均勻性(uniformitybetweenlevelsofamulti-levelsignal)”的第15/893,089號美國專利申請案的優先權,所述美國專利申請案主張由霍利斯等人在2017年...
  • 光學記錄介質及其制造方法與流程
    本發明涉及光學記錄介質及其制造方法。作為光學記錄介質,諸如數字通用光盤(dvd:digitalversatiledisc)之類的接合型光學記錄介質是眾所周知的。該光學記錄介質包括:第一基板,在其一個表面上具有信息信號層;以及第二基板(虛設基板),其不具有信息信號層,并且該光學記錄介質具有如...
  • 一種基于三維疊層封裝SRAM器件的在軌單粒子翻轉甄別系統的制作方法
    本發明屬于空間輻射效應探測,具體涉及一種基于三維疊層封裝sram器件的在軌單粒子翻轉甄別系統??臻g輻射環境是引起航天器電子元器件性能退化甚至功能失效的主要環境因素。其中重離子、質子等帶電粒子在器件的靈敏區內產生大量的帶電粒子,誘發單粒子效應,從而引起電子元器件發生單粒子翻轉、單粒子...
  • 測試SSD信號健壯性的方法、裝置、計算機設備及存儲介質與流程
    本發明涉及固態存儲信號測試,更具體地說是指測試ssd信號健壯性的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。由于固態硬盤信號健壯性的測試會在skllake/kbllake上測試信號的健壯性,測試前需人工判斷測試平臺是什么,確認測試平臺后,把對應的測試工具拷貝到機器,然后進行安裝,之后運行該測...
  • 保持存儲器系統中的固件的設備和方法與流程
    相關申請的交叉引用本專利申請要求于2018年9月17日提交的申請號為10-2018-0110841的韓國專利申請的優先權,其全部公開內容通過引用并入本文。本發明的各個實施例涉及一種存儲器系統,且更特別地,涉及一種維持、控制和管理存儲器系統中存儲的固件的設備和方法。近來,計算機環境范例已經轉...
  • 半導體器件的熔絲鎖存器的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請要求于2018年9月14日提交的申請號為10-2018-0110489的韓國專利申請的優先權,其公開內容通過引用整體合并于此。本公開的實施例涉及一種半導體器件,以及更具體地涉及一種用于鎖存修復熔絲單元的信息的熔絲鎖存器。隨著更高性能電子系統(例如,個人計算機(pc)...
  • 位線的篩選方法、裝置、存儲設備和存儲介質與流程
    本發明實施例涉及存儲設備檢測,尤其涉及一種位線的篩選方法、裝置、存儲設備和存儲介質。對于半導體器件的大規模生產,通過對設計和制造后的半導體器件進行失效分析是提高產率、改善工藝技術可靠性和穩定性的重要手段。對半導體存儲器件而言,位線間的短路是一種常見的失效情況,位線的短路將使兩條位線...
  • 存儲器系統及其操作方法與流程
    本發明的各種實施方式涉及存儲器系統,更具體地,涉及一種能夠高效地執行糾錯操作的存儲器系統及該存儲器系統的操作方法。計算機環境典范已經轉移到普適計算,這使得計算系統能夠被隨時隨地使用。因此,諸如移動電話、數碼相機和膝上型計算機之類的便攜式電子裝置的使用迅速增加。這些便攜式電子裝置通常使用具有...
  • 存儲器的編程方法、裝置、存儲設備和存儲介質與流程
    本發明實施例涉及存儲設備,尤其涉及一種存儲器的編程方法、裝置、存儲設備和存儲介質。由于在存儲器的生產過程中存在工藝波動的問題,使得存儲單元的本征閾值電壓分布呈高斯分布狀態,且不同存儲單元的編程速度不同,由此導致存儲器中的一個page或一個block對應的不同的存儲單元在編程后或擦除...
  • 存儲單元的閾值調整方法、裝置、存儲設備和存儲介質與流程
    本發明實施例涉及存儲設備,尤其涉及一種存儲單元的閾值調整方法、裝置、存儲設備和存儲介質。存儲器廣泛應用在各種電子器件中,用于存儲各種各樣的數據。存儲器在使用中會頻繁地進行讀、寫以及擦除的操作。如果存儲器在執行擦除操作的過程中突然掉電,那么很可能會導致再次上電之后數據讀取錯誤?,F有技...
  • 一種數據糾正方法、裝置、存儲設備及存儲介質與流程
    本發明實施例涉及數據處理技術,尤其涉及一種數據糾正方法、裝置、存儲設備及存儲介質。nand閃存是一種非易失存儲器,它通過對存儲單元進行讀寫擦操作來存儲數據,具有改寫速度快,存儲容量大等優點,被廣泛使用到電子產品中,隨著flash存儲器的大量使用,對其性能的要求也在不斷提高。nand閃存如果...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    [相關申請]本申請享有以日本專利申請2018-172214號(申請日:2018年9月14日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。實施方式涉及一種半導體存儲裝置。已知一種能夠將數據非易失性地存儲的nand型閃存。發明內容實施方式提供一種能夠提高fenand的...
  • 一種模式切換方法、裝置、存儲設備及存儲介質與流程
    本發明實施例涉及數據存儲技術,尤其涉及一種模式切換方法、裝置、存儲設備及存儲介質。nand閃存是一種非易失存儲器,它通過對存儲單元進行讀寫擦操作來存儲數據,具有改寫速度快,存儲容量大等優點,被廣泛使用到電子產品中,隨著flash存儲器的大量使用,對其性能的要求也在不斷提高。它通過對存儲單元...
  • 半導體裝置的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請享受以日本專利申請2018-172794號(申請日:2018年9月14日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。本發明的實施方式涉及半導體裝置。已知有能夠將數據非易失性地存儲的各種半導體存儲裝置等半導體裝置。近年來的半導體裝置中,正在...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    [相關申請]本申請享有以日本專利申請2018-173374號(申請日:2018年9月18日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。實施方式涉及一種半導體存儲裝置。作為半導體存儲裝置的nand型閃存已經眾所周知。發明內容實施方式提供一種可抑制電路面積及配線面積...
技術分類
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